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Halbleiterbauelement mit tiefliegender Epiverstärkung und Verfahren zu seiner Herstellung

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017820D
Original Publication Date: 2001-Oct-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23

Publishing Venue

Siemens

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Authors:
Dr. Markus Zundel [+details]

Abstract

Bei Trench-Transistoren soll der Avalanche- Durchbruch in der Zellmitte stattfinden. Dazu wird eine Epiverstärkungsimplantation in Kombination mit der schon bekannten Bodyverstärkungsimplantation eingeführt, um den Avalanchedurchbruch noch kon- sequenter in der Zellmitte zu erzwingen. In Goodyear et al. EP 058302881 wird ein n+/p+ Übergang in einem Gebiet zwischen zwei Trenches zur Festlegung des Durchbruchortes und der Durch- bruchspannung patentiert. Dabei handelt es sich je- doch um einen n+/p+ Übergang, der nicht tiefer als das dazugehörende Bodygebiet liegt. Dieses Bodyge- biet ist darüber hinaus im dort patentierten Verfahren durch einen Maskenschritt strukturiert und ist deshalb nicht flächesparend. Bekannt, aber noch nicht veröf- fentlicht ist der Prozessfluss im Rahmen der PFET3 Entwicklung. Dabei wird die Bodyverstärkung mittels HE-Impl. in der Zellmitte durch ein ca. 500nm breites Kontaktloch erzeugt, gefolgt von zwei weiteren Im- plantationen zur Herstellung des Bodykontaktes. Diese Konstruktion soll sicherstellen, dass der Ava- lanchedurchbruch in der Zellmitte erfolgt und die Ladung über den Bodykontakt abfließt. Die Gebiete an den benachbarten Trenchseitenwänden stehen dabei in direkter Konkurrenz zum Durchbruchsort in der Zellmitte. Auftretende hohe E-Felder an der Trenchwand bewirken in vielen Fällen einen Avalan- chedurchbruch und damit hohe Ströme an der Trenchseitenwand, was wiederum zu unerwünschten Hot Carrier Effekten führt.