Browse Prior Art Database

Schaltnetzteil-Überstromschutz durch Auswertung der Gate-Spannung am MOS FET

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017845D
Original Publication Date: 2001-Oct-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Peter Preller [+details]

Abstract

Der Primärstrom eines Schaltnetzteiles soll auf einen höchsten zugelassenen Wert begrenzt werden, um eine Zerstörung von Bauteilen zu vermeiden. Bisher wurde zwischen Source und Massepotential ein sogenannter Shunt-Widerstand eingebaut, dessen Source-seitiges Ende über ein RC-Glied einem Stromüberwachungseingang des Ansteuer-ICs zuge- führt wurde.