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Optimierte Prozessführung zur Herstellung von W-Gates mit WN

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017851D
Original Publication Date: 2001-Oct-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Dr. Alexander Ruf Kerstin Pomplun [+details]

Abstract

DRAM und Embedded DRAM Speicherbausteine benutzen Wolframsilizid als leitendes Material im Gate. Die Leitfähigkeit des Wolframsilizids wird durch den Gehalt an Wolfram festgelegt. In derzeiti- gen Geometrien sind für wolframreiche Schichten minimale Bahnwiderstände von ca. 10 Ohm/sq er- reichbar (spez. Widerstand von >50 µ Ohm*cm). Zum Erreichen niedrigerer Bahnwiederstände wird an der Einführung von Wolfram als Gatematerial gear- beitet. Damit bei den nach der Wolframabscheidung notwendigen Annealschritten das Silizium nicht ins Wolfram diffundiert und zu Wolframsilizid reagiert, muss eine Barriereschicht abgeschieden werden, die aus Wolframnitrid besteht. Dieses Mehrschichtsystem kann Haftungsprobleme bei den nachfolgenden An- nealschritten verursachen. Durch die Abscheidung zweier verschiedener Schichten ändern sich die Kammerkonditionen, so dass es nicht möglich ist, eine gute Reproduzierbarkeit der Schichten (bei Ab- scheidung der WN- und W-Schichten in einer Kam- mer) zu gewährleisten.