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Schutzschaltung für einen Bipolartransistor-Verstärker

IP.com Disclosure Number: IPCOM000018002D
Original Publication Date: 2001-Dec-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23

Publishing Venue

Siemens

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Authors:
Wolfgang Dürr [+details]

Abstract

Bipolartransistoren haben eine relativ niedrige Durchbruchsspannung der Basis-Emitter-Diode Veb0. Bei ausgeschalteten Transistoren kann es durch ungewollte, hohe Wechselspannungseingangs- signale durch einen Gleichrichtereffekt zu negativen Basis-Emitter-Spannungen kommen, die die maximal zulässige Durchbruchsspannung überschreiten kön- nen. Dies hat eine nicht reversible Degradation der Transistoreigenschaften oder eine Zerstörung des Transistors zur Folge. Es gilt nun unter den genann- ten Bedingungen eine Lösung zu finden, die den Transistorverstärker für höhere Wechselspannungs- eingangssignale wiederstandsfähig machen. Bisher wurde dieses Problem meist durch eine zu- sätzliche Diode zwischen dem Basis- und dem Emit- teranschluss gelöst, entweder durch eine schaltbare Diode in Flussrichtung oder durch eine nicht ge- schaltete Diode in Sperrrichtung.