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Energiefilter für Hochenergieionenimplantation

IP.com Disclosure Number: IPCOM000018006D
Original Publication Date: 2001-Dec-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23

Publishing Venue

Siemens

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Authors:
Dr. Michael Rüb [+details]

Abstract

Neuartige vertikale Hochvoltsiliziumbauelemente (Spannungsfestigkeit >300V) benötigen in der Epita- xiedriftzone vertikale, säulenartige, feinstrukturierte Dotiergebiete. Diese sog. Kompensationsbauelemente erreichen eine Reduktion des Einschaltwiderstandes um bis zu eine Größenordnung. Diese Technik ist unter dem CoolMOS bekannt. Als neue, vielversprechende Fertigungstechnologie erscheint die Hochenergieimplantation (bis 25MeV Bor) über Siliziumstecilmasken. Die neue Ferti- gungstechnologie erfordert, dass für verschiedene Bereiche im Umfeld der Hochenergieimplantation Neuentwicklungen angegangen werden müssen. Bei- spielsweise muss eine geeignete Maskierungstech- nologie gefunden werden und auch das Produkt, der Leistungstransistor, muss neu definiert und entwickelt werden. Neben diesen Entwicklungsaspekten auf der Seite des Devices und des Herstellungsprozesses, sollten auch Weiterentwicklungen auf der Seite des Implantationsequipments vorgenommen werden.