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Hochtemperatur Prüfkarte für Mehrfachmessung und Hochspannung

IP.com Disclosure Number: IPCOM000018024D
Original Publication Date: 2001-Dec-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Werner Salzmann Lambert Windhagauer [+details]

Abstract

Zur Überprüfung der Zuverlässigkeit von isolated gate bipolar transsitor (IGBT) und Leistungstran- sistor (LTR) Produkten werden die betreffenden Bauteile einem sog. Stresstest unterzogen. Um die Feedbackschleife bei etwaigen Problemen zu verkür- zen, wird dieser Test bereits auf Wafer-Ebene durch- geführt. Der Test wird in Form einer Hochtempera- tur-Sperrlagerung des Wafers vollzogen. Die Bedin- gungen denen der der Wafer während des Tests un- terliegt, sind eine Temperatur von 200°C, eine Dau- erbelastung von 1 Ampere und eine Spannung von 1250 Volt. Der Test wird an z.B. 8 oder 16 der oben genannten Bauteile zugleich ausgeführt. Für diesen Test ist es erforderlich, eine Prüfkarte zu verwenden, welche die genannten Stressbelastungen dauerhaft ohne Einbussen in der Funktion verträgt. Um dies zu gewährleisten, wurde eigens eine Prüf- karte entwickelt. Die Prüfkarte setzt sich aus folgen- den Bauteilen zusammen: