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HV CMOS IC

IP.com Disclosure Number: IPCOM000018025D
Original Publication Date: 2001-Dec-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Dr. Jenö Tihanyi [+details]

Abstract

Für automotive Schaltungen und High-Side-Schalter hat sich die Selbstisolations-technologie gut bewährt. Für höhere Spannungen gibt es eine ähnliche Tech- nologie, mit der die Schalter SITAC der Infineon AG gefertigt werden. Dabei ist es möglich, vertikale und laterale DMOS- Leistungstransistoren (Diffusion Metal Oxide Semi- conductor) in CMOS-Logikschaltungen (Comple- mentary Metal Oxide Semiconductor) zu integrieren. Für hohe Spannungen, also für die meisten Anwen- dungen, sind die LDMOS- (Lightly Doped Metal Oxide Semiconductor) und die DMOS-Schalter zu hochohmig.