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Leiterplattenschichtung für hochkomplexe Schaltungsstrukturen mit extrem hochbitratigen Signalen mit unsymmetrischer Aufteilung zwischen HF-Teil und Digital-Teil

IP.com Disclosure Number: IPCOM000018102D
Original Publication Date: 2002-Feb-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Peter Birkholtz Dr. Dirk Netzler Alexander Schnellbögl [+details]

Abstract

Wird eine Leiterplatte als Gesamtheit und die Abfol- ge der einzelnen Schichten unabhängig von ihrer elektrischen Funktion betrachtet, dann läßt sich eine Leiterplatte aufbauen, die in Halbzeug und Ergebnis symmetrisch ist, jedoch HF-Teile und Digital-Teile in fast beliebiger Aufteilung erlaubt. Werden in Leiterplatten sehr hochbitratige Signale (≥ 622 Mbit/s) geführt, ist es notwendig, diese wellen- widerstandsrichtig in speziell dafür ausgelegten Z- Kammern zu verlegen. Der Zugang erfolgt über Durchkontaktierung möglichst direkt am Pad des signalerzeugenden oder signalempfangenden Bau- steins. Bei hochkomplexen Schaltungsträgern ergibt sich eine sehr hohe Lagenzahl, weshalb die Durch- kontaktierungen viele Lagen durchdringen müssen. Damit entstehen hohe Verluste im HF-Bereich (Hochfrequenz).