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PCM-Strukturen für tiefliegende aktive Dotierstrukturen bei Kompensationsbauelementen

IP.com Disclosure Number: IPCOM000018230D
Original Publication Date: 2002-Apr-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Dr. Hans Weber Dr. Roland Resch Dr. Manfred Pippan [+details]

Abstract

Mit neuen Technologie-Generationen vor allem bei Leistungsanwendungen spielt die Bearbeitung von Bereichen, die im fertigen Bauteil tief im spannungs- aufnehmenden Volumen liegen, eine wachsende Rolle. Ein Beispiel sind dabei Kompensationsbau- elemente mit CoolMOS-Struktur. Die derzeit gängige Herstellmethode fußt auf der „Mehrfachepitaxie“. Zwecks Prozesskontrolle sind auf der Halbleiter- scheibe neben den Systemchips für gewöhnlich auch Teststrukturen (Process Control Monitoring = PCM- Strukturen) implementiert, welche nach Abschluss des Fertigungsdurchlaufes elektrisch gemessen wer- den und mit Hilfe derer einzelne Prozessparameter quantifiziert werden können. Bisher gibt es solche Strukturen lediglich für den Deviceprozeß einer Fertigungsstrecke.