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Eliminierung von Hochvolt durch Logikwanne

IP.com Disclosure Number: IPCOM000018238D
Original Publication Date: 2002-Apr-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Dr. Peter Wawer Mayk Röhrich [+details]

Abstract

In bisherigen Flashprozessen werden zur Generation und Verteilung von positiven und negativen Hoch- spannungen von bis zu 20 V Hochvolttransistoren und extra Hochvoltwannen benötigt. Zu den n/p- Logikwannen erhält man somit noch 2 weitere Hochvoltwannen dazu. Die Hochspannungen werden zum Programmieren und Löschen der Zellen benö- tigt. Insgesamt werden somit 4 Wannen benötigt (Abbildung 1). Die Idee ist es, in einem Flash/ embedded- Flashprozess die Hochvoltwannen einzusparen.