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ESD Schutzstruktur für Leistungs-ICs mit Querstromfestigkeit und hoher Robustheit

IP.com Disclosure Number: IPCOM000018357D
Original Publication Date: 2002-Jun-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23

Publishing Venue

Siemens

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Authors:
Gerhard Groos [+details]

Abstract

In der Halbleitertechnologie benötigt man Strukturen zum Schutz gegen elektrostatische Entladungen ( E- lectrostatic Discharge - ESD), die Durchbruchspan- nungen unter denen der zu schützenden Bauelemente haben und im ESD-Fall den Strom der Entladung tragen können. Bei der Realisierung von ESD-Strukturen ist die Stromlokalisierung, insbesondere nahe der Silizium- oberfläche, ein Problem, weil sie im ESD-Fall eine stark lokalisierte Wärmequelle und somit eine lokal sehr hohe Temperatur mit sich bringt, die das Bau- element schädigt.