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Änderung des Padaufbaus zur Gewährleistung einer besseren Common Source Verdrahtung bei Transistorflöten

IP.com Disclosure Number: IPCOM000018360D
Original Publication Date: 2002-Jun-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Lars Bartholomäus [+details]

Abstract

Zur parametrischen Produktkontrolle werden im Kerf auch Transistoren vermessen. Da im Kerf nur wenig Platz vorhanden ist, werden sehr viele Strukturen mit Shared Pads verdrahtet, um mit wenigen Pads viele Strukturen messen zu können. Bei Transistoren im Kerf geschieht dies in der Regel mit einem Source- kontakt, an dem viele Transistoren in einer Transis- torflöte angeschlossen werden. Den Drainkontakt teilen sich zwei Transistoren (Dick- und Dünnoxid), die über zwei verschiedene Gatespannungspads (einen für Dünnoxid-, den ande- ren für Dickoxid-Devices) getrennt voneinander steuerbar sind. Durch diese Anordnung lassen sich mit wenigen Pads viele Transistoren messen. Dabei ist jedoch wegen der langen Zuleitung der Transisto- ren in der Sourceleitung der Zuleitungswiderstand nicht mehr vernachlässigbar.