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Verschmälerung von Strukturen mit einem Spacerprozess

IP.com Disclosure Number: IPCOM000018362D
Original Publication Date: 2002-Jun-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Dr. Günther Schindler Dr. Andrew Graham Dr. Werner Steinhögl [+details]

Abstract

Für die Erzeugung kleiner Strukturen (z.B. schmale Gates bei Transistoren) sind Strukturbreiten notwen- dig, die deutlich kleiner als die mit der verwendeten Technologie erreichbare minimale Linienbreite (Halfpitch) sind. Bisher wird die konventionelle optische Lithographie mit der e-beam Lithographie kombiniert. Letztere benötigt jedoch eine sehr viel größere Schreibzeit und lässt nur eine geringe An- zahl von Mustern pro Wafer zu. Es wird vorgeschlagen, die bekannte Spacertechnik, mit der bisher nur Grabenstrukturen erzeugt werden können, durch zusätzliche Schritte zur Invertierung des Musters auch für feine Linien zu nutzen. Mit den im Folgenden angegebenen Prozessschritten können Linien erzeugt werden, deren Breite wesentlich klei- ner als der Halfpitch ist. Der Gesamtpitch (Abstand der Linienmitten) bleibt jedoch gleich. Diese Metho- de ist kostengünstiger (als e-beam Lithographie), da die verwendeten Prozessschritte Standard sind.