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Laseraktivierte(s) Abscheidung/Oxidwachstum; laserinduzierte Generierung/Diffusion von Fehlstellen und gerichtete Dotierstoffdiffusion

IP.com Disclosure Number: IPCOM000018406D
Original Publication Date: 2002-Jun-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Hans Weber [+details]

Abstract

Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen finden gegen Ende der Fertigungsfolge gewöhnlich Materialsysteme MA,B,... Verwendung, deren Stabilität auf eine niedrige Temperaturgrenze T g beschränkt ist. Andererseits bedingen fertigungs- oder anwen- dungsbezogene Anforderungen, dass zum gleichen oder einem späteren Zeitpunkt in der Herstellung zusätzliche Schichten M X benötigt werden, zu deren Definition die Temperatur T g meist weit überschrit- ten werden müsste. Da bei bisher bekannten Verfahren Aufheizvorgänge mittels Ofen- oder Rapid Thermal Processing (RTP)-Prozessen durchgeführt werden, ist im Allge- meinen der gesamte zu prozessierende Rohling von einer Temperaturerhöhung betroffen.