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Kommutierungsfeste Diode mit Feldringen

IP.com Disclosure Number: IPCOM000018465D
Original Publication Date: 2002-Sep-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Dr. Elmar Falck Dr. Hans-Joachim Schulze Dr. Anton Mauder [+details]

Abstract

Bei Dioden werden schwach dotierte Anodengebiete verwendet, um einen günstigen Trade-Off zwischen Durchlassverlusten und Speicherladung bzw. Rück- stromverlauf zu erhalten. Eine dauerhafte statische Sperrspannungsfestigkeit wird durch Feldringränder erreicht (Abbildung 1). Dabei kann es (unter un- günstigen Umständen) beim Abschalten vom Durchlass- in den Sperrbereich zur Zerstörung des Bauelementes kommen, wobei insbesondere das schnelle Abkommutieren bei hohen Spannungen kritisch ist. Abb. 1: herkömmlicher Randabschluss mit Feld- ringen