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Verfahren zur Herstellung eines Source-Body-Kontaktes minimaler Ausdehnung fuer Leistungstransistoren mittels Spacer-Technik

IP.com Disclosure Number: IPCOM000018992D
Original Publication Date: 2003-Sep-25
Included in the Prior Art Database: 2003-Sep-25

Publishing Venue

Siemens

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Abstract

Bei der Entwicklung neuer Niedervoltleistungstransistoren wird versucht, moeglichst viele Zellen pro Chipflaeche zu vereinen. Dazu wird der Zellabstand (Cellpitch) zunehmend geringer gestaltet. Das dazu verwendete Lithographie-Equipment stellt bei der zunehmenden Miniaturisierung ein Limit bezueglich der Trench-Breite (Kanalbreite im Chip), der Kontaktbreite und der Genauigkeit der Justage von Trench und Kontakt dar. Lithographie ist ein Verfahren zur Bearbeitung von Oberflaechen von Halbleiterbauelementen. Die erwuenschte Struktur wird zunaechst graphisch erstellt, dann per Photobildtechnik auf eine Lackmaske aufgebracht, die danach als Schablone bei der Gestaltung der Oberflaeche des Chips durch verschiedenartige Bestrahlung dient. Nach der Gestaltung der Oberflaechenstruktur wird ueber ein Kontaktloch bzw. Kontaktstreifen (Abb. 1) eine Body-Verstaerkungsimplantation mit einem Body-Kontakt eingefuegt. Dabei handelt es sich um eine Hochenergie-Implantation, bei dem das Substrat in einem definiertem Bereich mit Boratomen bei N-Kanaltransistoren, mit Arsenatomen bei P-Kanaltransistoren beschossen und mit Ladungstraegern angereichert wird. Dieses Implantat dient dazu, einen evtl. Avalanche-Fall (lawinenartiger Durchbruch der Ladungstraeger zwischen Drain bzw. Source und Gate, den Anschluessen des Leistungstransistors - Abb. 1) lokal zu definieren und zu verhindern, dass groessere Mengen an Ladungstraegern in die Oxidschicht, der Isolationsschicht zwischen Gate und Substrat gelangen, was u.U. eine Aenderung der Eigenschaften des Bauelements bewirkt. Bei dieser Hochenergie-Implantation kommt es jedoch zu einer seitlichen Streuung der Fremdatome und damit der Ladungstraeger ausserhalb des vordefinierten Bereichs (laterales Straggling).