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Reverse-Blocking-MOSFET

IP.com Disclosure Number: IPCOM000019008D
Original Publication Date: 2003-Sep-25
Included in the Prior Art Database: 2003-Sep-25

Publishing Venue

Siemens

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Abstract

In der Patentschrift US 2003/0006454 A1 von M.N. Darwisch (Siliconix) wurde ein einfacher Trench-MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) praesentiert. Darin wird die Drift-Zone aus dem Gate-Trench eingefuehrt. Dieses Prinzip kann auf einfache Weise so weiter entwickelt werden, dass der MOSFET eine Reverse-Blocking-Charakteristik erhaelt. Abbildung 1 zeigt die erfindungsgemaesse Anordnung. Dabei werden mehrere MOSFETs nebeneinander angeordnet. Zwischen den einzelnen Gate-Trenches werden Metallstoepsel eingebracht, die als Rekombinationsregionen dienen. Die p-Body-Zone soll dabei floaten. Da die Metallstoepsel durch eine Isolationsschicht von der Source getrennt sind, ergibt sich die Reverse-Blocking-Charakteristik.