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Integration eines TiN Liners in ein AlCu BEOL als Widerstandsebene

IP.com Disclosure Number: IPCOM000019036D
Original Publication Date: 2003-Sep-25
Included in the Prior Art Database: 2003-Sep-25

Publishing Venue

Siemens

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Abstract

Fuer die Realisierung integrierter analoger Schaltungen benoetigt man hochwertige integrierte passive Bauelemente u. a. hochpraezise Widerstaende. Wichtige Parameter eines solchen Bauelementes sind die Streuung der Widerstandswerte auf verschiedenen Wafern und das Matching. Bislang werden Widerstaende aus polykristallinem Silizium (Polywiderstaende) hergestellt. Der Widerstand kann hierbei durch geeignete Dotierungen eingestellt werden. Die Entkopplung vom Substrat wird durch eine Abscheidung auf STI (shallow trench isolation) bzw. Feldoxidgebieten erreicht. Die Nachteile des polykristallinen Siliziums sind eine nicht so gute Reproduzierbarkeit und ein relativ hoher Mismatch.