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Konzept zur Integration von elektrischen Widerstandsstrukturen in einer MIMCAP-Umgebung

IP.com Disclosure Number: IPCOM000019707D
Original Publication Date: 2003-Oct-25
Included in the Prior Art Database: 2003-Oct-25

Publishing Venue

Siemens

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Abstract

Zur Realisierung integrierter analoger Schaltungen werden hochwertige passive Bauelemente, z.B. hochpraezise Widerstaende (z.B. aus Polysilizium) oder elektrische Kapazitaeten (z.B. MIMCAP - Metal-Insulator-Metal Capacitor) benoetigt. Diese Bauelemente werden bisher in unabhaengigen Modulbloecken prozessiert. Mit der hier vorgeschlagenen Methode werden mit zusaetzlicher Maske und Aetzung Widerstandsstrukturen aus TiN (Titannitrid) oder TaN (Tantalnitrid) in ein Metallisierungsmodul (BEOL - Back End of Line) integriert. Damit kann jede Metallisierungsebene sowohl zur Verdrahtung und zum Einbau elektrischer Kapazitaeten als auch zum Bereitstellen von Widerstandsstrukturen genutzt werden. Die Kontaktierung der Widerstaende erfolgt mittels unterliegender Kontakte. Ein moeglicher Fertigungsprozess ist im Folgenden beschrieben: