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Indirekte Rueckaetzung einer Polyelektrode im Trench durch Oxidation und Oxidaetzung

IP.com Disclosure Number: IPCOM000020151D
Original Publication Date: 2003-Nov-25
Included in the Prior Art Database: 2003-Nov-25

Publishing Venue

Siemens

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Abstract

Fuer viele Applikationen sind die Schaltverluste der eingesetzten Transistoren sehr wichtig, da sie direkt in den Wirkungsgrad der Schaltungen eingehen. Die Kapazitaeten, die den Schaltvorgang im Wesentlichen beeinflussen, sind die Gate-Drain- und die Gate-Source-Kapazitaet. Fuer Schaltungen wie beispielsweise DCDC-Spannungswandler sind die Gate-Drain- und die Gate-Source-Kapazitaet der verwendeten Transistoren in angepasstem Verhaeltnis klein zu gestalten. Bei Feldplatten-Trenchtransistoren wird zur Reduktion der Gate-Drain-Kapazitaet eine von der Gate-Elektrode isolierte Feldplattenelektrode eingesetzt, die beispielsweise auf Sourcepotential gelegt wird. Wir die Feldplatte in vorteilhafter Ausfuehrung ueber die geeignet zurueckgeaetzte Feldelektrode durch eine isotrope Aetzung strukturiert, steht die Feldelektrode typischerweise mindestens soweit ueber die Feldplattenstufe hinaus wie das Feldoxid dick ist. Dieser Ueberstand schlaegt sich direkt in der Gate-Source-Kapazitaet nieder, da anschliessend der freie Raum um die Feldelektrode mit Gateoxid und Gateelektrodenmaterial aufgefuellt wird. Mit hoeherer Durchbruchsspannung des Transistors waechst die noetige Feldoxiddicke und damit nimmt auch unverhaeltnismaessig der Ueberstand und die Gate-Source-Kapazitaet zu.