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Trench-MOSFET

IP.com Disclosure Number: IPCOM000020153D
Original Publication Date: 2003-Nov-25
Included in the Prior Art Database: 2003-Nov-25

Publishing Venue

Siemens

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Abstract

In der nachfolgenden Abhandlung wird eine Loesung fuer einfache, kompensierte MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) vorgestellt. Die vorgeschlagene Struktur ist der Abbildung 1 zu entnehmen. Dabei werden die tiefen p-Knoedel durch die Gate-Trench implantiert. Die p-Knoedel sind durch eine Seitenwand mit dem Zellenbody aufgrund einer Schraegimplantation verbunden. Die Kontaktloecher in den Zellen werden durch Spacertechnik erzeugt. Die n+- oder p+-Poly-Stoepsel (auch Seitenwandsilizid ist moeglich) bilden die Kontaktierung. In die KL-Trenche kann auch eine p++-Bodenimplantation erfolgen. Die Poly-Stoepsel dienen auch als Rekombinationszone und auf diese Weise wird der parasitaere Bipolartransistor in hohem Masse abgeschwaecht.