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Gateschutzschaltung zur Untersuchung des Einflusses der Metallisierung auf MIS-Bauelemente

IP.com Disclosure Number: IPCOM000020154D
Original Publication Date: 2003-Nov-25
Included in the Prior Art Database: 2003-Nov-25

Publishing Venue

Siemens

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Abstract

Plasmaprozesse, die bei der Produktion von Bauelementen angewendet werden, erzeugen unerwuenschte Aufladungen bei elektrisch isolierten Strukturen. Daher muessen die Test- und Produktstrukturen geschuetzt werden. Insbesondere zur Verhuetung von Aufladungen am Gate von MIS-Strukturen (Metal Isolator Semiconductor) wird ein Ueberspannungsschutz angewendet. Bislang dienen als Schutz Diodenstrukturen oder Sicherungen (Fuses) je nach Aufgabe. Beide Moeglichkeiten bergen jedoch bestimmte Nachteile, die durch eine neue Gateschutzschaltung nicht nur vermieden werden, es werden auch die Vorteile beider Schutzarten vereint. Dafuer wird an der Gateelektrode der eine Reihenschaltung eines Widerstandes und einer Sicherung angebracht. Diese Reihenschaltung leitet die in den Plasmaprozessen auftretenden Ladungen ab. Sollen bereits nach der ersten Metallisierung M0 Testmessung an der MIS-Struktur vorgenommen werden, so wird die Sicherung mit Hilfe der an Pads herausgefuehrten Kontakte (2) und (3) kurzgeschlossen und damit vor versehentlichem Durchbrennen bei hohen Gatespannungen geschuetzt. Die zur Gatespannungsversorgung angewendete Spannungsquelle muss dann jedoch den Widerstand treiben. Durch zusaetzliche Messungen kann der parasitaere Strom durch den Widerstand eliminiert werden. Somit ist eine Aufteilung von Gleich- und Wechselstromanteil moeglich, was bei CV-Messungen notwendig ist.