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Hochvolt-Bauelement

IP.com Disclosure Number: IPCOM000022634D
Original Publication Date: 2004-Apr-25
Included in the Prior Art Database: 2004-Apr-25

Publishing Venue

Siemens

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Abstract

Die Veroeffentlichungsschrift DE19839970C2 beschreibt eine Struktur eines Bauelementes bei der in der n-Driftzone p+-Gebiete eingebettet sind, welche im Aktivbereich miteinander verbunden sind und im Randbereich floaten. Nachfolgend wird beschrieben, in welcher Weise diese Struktur hergestellt werden kann. Abbildung 1 zeigt die wesentlichen Merkmale. In ein n-dotiertes Substrat, welches auf der Rueckseite eine n+-Schicht (MOSFET - Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) oder n-p+ bzw. einen Schottky-Uebergang besitzt (IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor), werden Trenche geaetzt. Eine Anzahl von Trenchen reicht in Tiefe a, andere in Tiefe b, usw. Nach dem Trenchaetzen wird eine p+-Dotierung in die Trenchboeden implantiert. Die Trenchwaende werden dabei zwangsweise zumindest teilweise auch p--dotiert. Danach werden die Trenche mit Isolatoren (SiO2 usw.) gefuellt. Auf solche Weise entstehen die p+-dotierten Knoedelreihen in unterschiedlichen Tiefen. Anschliessend werden auf der Oberflaeche die Transistorzellen nach Abb. 2 erzeugt. Die p--Verbindungen aus den Trenchen koennen zu den Zellen angeordnet sein. Sie koennen aber auch andere Raster als die Zellen besitzen. Im Randbereich koennen die p+-Knoedel floaten oder durch eine Oberflaechen-p--Schicht mit dem Zellenfeld verbunden sein.