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SRAM-Zelle mit zwei bis N Ports

IP.com Disclosure Number: IPCOM000022635D
Original Publication Date: 2004-Apr-25
Included in the Prior Art Database: 2004-Apr-25

Publishing Venue

Siemens

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Abstract

In Geraeten zur elektronischen Datenverarbeitung kommen neben anderen Bauteilen auch Direktzugriffsspeicher (z.B. als Arbeitsspeicher) zum Einsatz. Diese so genannten RAM-Bausteine (Random Access Memory, RAM) gibt es in unterschiedlichen Typen und Ausfuehrungen. Fuer den Bau einer Dual-Port SRAM-Zelle (Static RAM) gibt es mehrere Ansaetze. Diese lassen sich relativ einfach auf 3-, 4- oder N-Port Zellen uebertragen, weshalb im Folgenden nur der Dual-Port Fall erlaeutert wird. Eine 1-Port SRAM-Zelle ist in Abb. 1 dargestellt. Die Erweiterung um zwei Transistoren ermoeglicht einen unabhaengigen Zugriff ueber zwei verschiedene Kanaele und ist beispielhaft in Abb. 2 gezeigt. Zum Auslesen der gespeicherten Information ist eine der beiden Wortleitungen (WL1 oder WL2) zu aktivieren. Die beiden internen Inverter treiben die externe Bitleitung, wobei eine Leitung entladen und die andere geladen wird (meistens sind beide Bitlines auf einem Spannungswert ueber VDD/2 vorgeladen). Aktuelle Speicher beschleunigen diesen Vorgang, indem sie die Differenz zwischen den zwei Bitlines bewerten und schon bei sehr kleinen Spannungs-/Stromunterschieden sicher entscheiden koennen, ob eine logische ‚0‘ oder ‚1‘ vorliegt.