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Halbleiterbauelement in Membran-Technologie

IP.com Disclosure Number: IPCOM000022714D
Original Publication Date: 2004-Apr-25
Included in the Prior Art Database: 2004-Apr-25

Publishing Venue

Siemens

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Abstract

In der Patentschrift US2002/0041003A1 werden Varianten von Halbleiterbauelementen beschrieben, bei denen die Driftstrecke in einer Membrantechnologie ausgefuehrt ist. Insbesondere soll eine moeglichst hohe Sperrfaehigkeit bei einem geringen Einschaltwiderstand realisiert werden. Bei den dabei beschriebenen Strukturen besteht allerdings das Problem, dass sich das Maximum der elektrischen Feldstaerke an der Oberflaeche dieser Membran befindet. Deshalb reagiert diese Struktur sehr empfindlich auf Unregelmaessigkeiten der Membranoberflaeche und insbesondere auf immer vorhandene Oberflaechenentladungen. Damit ist einerseits die Sperrfaehigkeit dieser Halbleiterstruktur deutlich reduziert und andererseits die Stabilitaet stark eingeschraenkt.