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Verfahren zur Einstellung von definierten Temperaturen des SOI-Wafers fuer messtechnische Zwecke

IP.com Disclosure Number: IPCOM000022717D
Original Publication Date: 2004-Apr-25
Included in the Prior Art Database: 2004-Apr-25

Publishing Venue

Siemens

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Abstract

Bei der Produktion von integrierten Schaltkreisen werden die dafuer benoetigten Wafer bestimmten Pruefverfahren unterzogen. Zur Messung einiger Eigenschaften sind fest definierte Temperaturen notwendig. Bisher wird die Erwaermung von SOI-Wafern (Silicon On Insulator) mit einem sogenannten Thermo-Chuck vorgenommen, wobei die Waermeleitung ueber den Kontakt zweier Festkoerper vorgenommen wird. Allerdings wird die gewuenschte Temperatur erst nach einer gewissen Zeit erreicht.