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Diode mit kommutierungsfestem Randabschluss

IP.com Disclosure Number: IPCOM000028224D
Original Publication Date: 2004-Jun-25
Included in the Prior Art Database: 2004-Jun-25

Publishing Venue

Siemens

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Abstract

Planare Randabschluesse mit Feldringen und darueber liegende Feldplatten dienen einer optimalen statischen Sperrfaehigkeit und Robustheit gegenueber negativen aeusseren Einfluessen. Bei schnellen Freilaufdioden kommt es beim Stromkommutiervorgang vom Durchlasszustand in den Abschaltzustand zu einem stark erhoehten Stromfluss der zuvor gespeicherten Ladung, waehrend gleichzeitig bereits hohe elektrische Feldstaerken im Bauelement vorhanden sind. Insbesondere sind Spannungen nahe der statischen Durchlassspannung kritisch und die Diode wird dann haeufig im anodennahen Bereich im Rand zerstoert. Denn beim Abschalten der Diode vom Durchlass- in den Sperrzustand wird die im Volumen gespeicherte Ueberschwemmungsladung zunaechst abgefuehrt, bevor das Bauelement Sperrspannung aufnehmen kann. Dabei ist der Stromfluss im anodennahen Randbereich deutlich hoeher, da die Ladung im gesamten Volumen des aeusseren Randbereichs noch hinzukommt. In den Gebieten, in denen hoher Loecherstrom zur negativ gepolten Anode fliesst, wird die effektive Grunddotierkonzentration drastisch erhoeht.