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Rueckwaerts sperrender oder bidirektionaler Leistungsschalter

IP.com Disclosure Number: IPCOM000028623D
Original Publication Date: 2004-Jun-25
Included in the Prior Art Database: 2004-Jun-25

Publishing Venue

Siemens

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Abstract

Heutige Leistungs-MOSFETs besitzen zwischen Drain- und Sourceanschluss eine parasitaere Inversediode. Ueblicherweise wird diese Diode beim Verpolen einer typischen Applikation in Flussrichtung gepolt. Dabei koennen folgende ungewuenschte Effekte auftreten: • die Last wird rueckwaerts bestromt, • moegliche thermische Zerstoerung des Schalters durch zu hohe Verlustleistung, • Zerstoerung durch Kurzschluss ueber zwei Dioden bei Brueckenschaltungen und/oder • nicht erlaubte Lastaktivierung in Sicherheitsanwendungen. Ein Vorschlag besteht nun darin, mittels der so genannten Face-to-Face-Technik die Chips mit den aktiven Seiten aufeinander zu montieren. Die Abbildung 1 zeigt den prinzipiellen Aufbau eines solchen Bausteins. Auf einen konventionell ueber Bonddraehte angeschlossenen Basis-Chip wird ein Top-Chip mit der aktiven Flaeche nach unten verloetet und elektrisch mit dem Basis-Chip verbunden.