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Passivierung fuer Halbleiterbauelemente

IP.com Disclosure Number: IPCOM000028957D
Original Publication Date: 2004-Jul-25
Included in the Prior Art Database: 2004-Jul-25

Publishing Venue

Siemens

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Abstract

Halbleiterbauelemente muessen vor schaedlichen Einfluessen der Umgebung geschuetzt werden. Durch ein Eindringen von Feuchtigkeit oder durch Korrosion beispielsweise der Metallisierung koennen sich die Eigenschaften der Bauelemente waehrend ihrer Betriebsdauer aendern. Dieser Umstand ist unerwuenscht. Insbesondere ist kritisch, dass dabei die Sperrfaehigkeit des Bauelements nachlassen kann. Dies kann zum Versagen des Bauelements in der Anwendung fuehren. Als oberste Passivierungsschicht werden zumeist Polymere verwendet beispielsweise als Film aus Imid direkt auf dem Chip und/oder als Pressmasse eines Gehaeuses. Diese Polymere sind prinzipiell nicht vollstaendig diffusionsdicht gegen Feuchte und ionische Verunreinigungen. Bislang wird daher als Grenzflaeche des Halbleiterchips zur Polymerschicht eine Nitridschicht verwendet. Diese Schicht bedeckt sowohl die Metallisierung als auch die offen liegenden Isolatorschichten des Halbleiterbauelements. Nachteilig dabei ist, dass zur Abscheidung und zur Strukturierung dieser Schicht zusaetzliche Prozessschritte erforderlich sind. Diese Prozessschritte sind speziell bei Duennwaferprozessen sehr stoerend.