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Aufwachsen eines Landingpads in einer MINT-Zelle mittels selektiver Epitaxie

IP.com Disclosure Number: IPCOM000030806D
Original Publication Date: 2004-Sep-25
Included in the Prior Art Database: 2004-Sep-25

Publishing Venue

Siemens

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Abstract

Die MINT(Merged Isolation and Node Trench)-Zelle wird in der DRAM (dynamic random access memory) Technologie von Infineon verwendet. In diesem Artikel wird ein moegliches Verfahren fuer das epitaktische Aufwachsen eines Landingpads (Epi-Plug) fuer den Bitleitungskontakt auf dem Active Area (AA) einer solchen MINT-Zelle vorgestellt. Bisher sind solche Epi-Plugs bei MINT-Zellen nicht produktiv eingesetzt worden. Bei diesem Verfahren wird das Gateoxid zwischen den GC-Stacks nach der sogenannten GA-Lithographie, welche eine Streifenmaske ist, nur zwischen den Active-Wordline Paaren entfernt, nicht aber zwischen den Active-Passive Wordline-Paaren. Auf diese Weise wird sichergestellt, dass mittels selektiver Epitaxie Silizium nur zwischen den Active-Passive-Wordline-Paaren aufwaechst. In Abbildungen 1 bis 7 ist die vorgeschlagene Prozessfuehrung dargestellt: 1. Grundlage der Idee ist ein auf Basis der MINT-Technologie strukturiertes Substrat mit STI (Shallow Trench Isolation), GC (Gate Stack) und Seitenwandoxid (SWOX). 2. Es wird die GA-Lithographie durchgefuehrt. Hierbei handelt es sich um eine Linienebene, die die Zwischenraeume zwischen den Active-Passive-Wordline-Paaren abdeckt und entsprechend zwischen den Active-Wordline-Paaren freilaesst. Neben Implantationen auf der Bitleitungskontakt-Seite (CB-Seite) des Transistors kann nun auf der CB-Seite des GCs das SWOX abgeduennt werden und das zwischen den aktiven GCs befindliche Gateoxid entfernt werden. Das kann durch einen geeigneten reaktiven Ionen-Aetzprozess (RIE) oder durch eine Kombination aus einem nasschemischen und einem RIE-Aetzschritt erfolgen. Entscheidend ist, dass das Durchaetzen des Gateoxids zwischen den aktiven GCs erfolgt, waehrend sich der GA-Lack auf dem Wafer befindet.