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Defektdichtereduzierung nach Oxidpolish durch Slurry Touch Up

IP.com Disclosure Number: IPCOM000030953D
Original Publication Date: 2004-Oct-25
Included in the Prior Art Database: 2004-Oct-25

Publishing Venue

Siemens

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Abstract

Nach dem bislang ueblichen Oxidpolish von Wafern bleiben auf diesen Abrasivpartikel, Trocknungsflecken und Padrueckstaende zurueck. Diese lassen sich nicht durch einen zusaetzlichen Wasserpolish auf weichem Pad oder durch andere Reinigungsschritte wie Brush Clean oder nasschemische Reinigung entfernen. Diese Partikel fuehren bisher zu einer erhoehten Defektdichte und damit zu Ausbeuteverlusten, die insbesondere fuer neue Shrink-Generationen inakzeptabel sind. Ein neues Verfahren verhindert einen Oxidabtrag, so dass die Uniformitaet und die Schichtdicke des primaeren Oxidpolish nicht veraendert werden, und verhindert eine Veraenderung der Oberflaecheneigenschaften hinsichtlich des Integrationskonzeptes. Dabei wird nach dem eigentlichen Oxidpolish ein Polish mit niedriger Down Force und weichem Pad mit Polyslurry durchgefuehrt. Die Polyslurry kann dabei aus CAB-O-SPERSEĀ® SC-720 (Produkt der Firma Cabot Corporation), 2% Aluminiumsulfat, 2,38% TMAH CD26 (Tetramethylammoniumhydroxid) bestehen.