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Methode zur Reinigung von CVD-Prozesskammern mit Hochenergie-Remote-Plasma-Source (RPS)

IP.com Disclosure Number: IPCOM000030954D
Original Publication Date: 2004-Oct-25
Included in the Prior Art Database: 2004-Oct-25

Publishing Venue

Siemens

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Abstract

CVD-Prozesskammern (CVD Chemical Vapour Deposition) koennen der Abscheidung von dotierten und undotierten Siliziumoxiden, -oxinitriden und –nitriden dienen. Zur Reinigung derartiger Kammern, die mit RPS-Einheiten zur Erzeugung des Reinigungsplasmas ausgeruestet sind, werden NF3-basierte Gasgemische wie z.B. NF3/Argon eingesetzt. Da Fluor-Radikale, die aus NF3-basierten Gasgemischen in der RPS-Einheit erzeugt werden, stark zur Rekombination (zu F2) neigen, steht nur ein geringer Anteil dieser Radikale zur eigentlichen Reinigung der Prozesskammer zu Verfuegung. Dies verursacht einen hohen Gasverbrauch und damit hohe Kosten. Derzeit wird die erforderliche Reinigungsleistung durch hohe Flussraten von bis zu 1500 sccm NF3 sichergestellt.