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Lateraler CoolMOS mit kompensationsfreier MOS-Zelle

IP.com Disclosure Number: IPCOM000060933D
Original Publication Date: 2005-Mar-25
Included in the Prior Art Database: 2005-Mar-25

Publishing Venue

Siemens

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Abstract

Nach dem Stand der Technik ist bekannt, dass bei lateralen Hochvolt-MOS-Transistoren (MOS, Metal Oxide Semiconductor) das Erreichen eines geringen Einschaltwiderstandes abhaengig ist von einer raeumlichen Konzentrierung hoeher dotierter p Gebiete (s. a. Abbildung 1). Daher sollte das thermische Budget, das zur Vollendung des Hochvolt-Transistors nach Einbringen der Saeulenstrukturen benoetigt wird, moeglichst gering sein. Dies kann erreicht werden, durch moeglichst spaetes Erzeugen der Saeulenstruktur im Herstellungsprozess, also auch nach der Herstellung der MOS-Zelle. Ferner ist auch bekannt, dass bei lateralen Kompensationsbauelementen das Gebiet unter der MOS-Zelle durch ein p Gebiet geschuetzt werden muss, damit hohe Spannungen nicht bis an das Body-Gebiet heranreichen koennen und so zu einem verfruehten Durchbruch unter der MOS-Zelle fuehren (s. a. Abbildung 2). Dies wird derzeit durch eine p dotierte Saeule unterhalb der MOS-Zelle geloest. Die Herstellung einer durch ein p Gebiet geschuetzten MOS-Zelle bei gleichzeitig moeglichst spaeter Herstellung der Saeulenstruktur in der Driftzone ist gegenwaertig nur mit grossem Aufwand moeglich. Daher wird vorgeschlagen, die Kompensation unter der MOS-Zelle zu ersetzen durch