Browse Prior Art Database

Kompensationsbauelement mit deutlich reduziertem Pitch und reduzierter Ausdiffusion der Kompenstionsladung

IP.com Disclosure Number: IPCOM000168268D
Original Publication Date: 2008-Mar-26
Included in the Prior Art Database: 2008-Mar-26

Publishing Venue

Siemens

Related People

Other Related People:

Abstract

Kompensationsbauelemente weisen deutlich geringere Einschaltverluste auf als homogene Materialen gleicher Sperrfaehigkeit, da die Gegenladung der Dotierstoffladung sich in den benachbarten p-Saeulen befindet. Im Einschaltfall liegt also lokal eine hoehere Konzentration beider Dotierstofftypen vor. Aus globaler Sicht wird zusaetzlich aufgrund der Kompensation eine niedrige Netto-Traegerkonzentration erreicht. Die Hoehe der Dotierung in der stromfuehrenden Zone ist durch den Abstand der p-Saeulen bestimmt, weil lateral in beiden Zonen maximal die doppelte Durchbruchsladung vorliegen darf. Wenn die Dotierung fuer den Stromtransport im eingeschalteten Zustand erhoeht werden soll, dann muessen die p-Saeulen mit einem kleineren lateralen Abstand (engl. pitch) ausgefuehrt werden. Bisher ist aufgrund der Ausdiffusion der Kompensationsladung der minimale Abstand der Saeulen in dem Bauelement beschraenkt. Um einen feineren Abstand zu erhalten, muessen daher mehrere Schichten in der Aufbautechnik des CoolMOS (MOS: Metall Oxid Semiconductor) verwendet werden, was zu erhoehten Fertigungskosten fuehrt.