Browse Prior Art Database

Verlustoptimierte Hochvolt-Diode

IP.com Disclosure Number: IPCOM000168510D
Original Publication Date: 2008-Mar-26
Included in the Prior Art Database: 2008-Mar-26
Document File: 3 page(s) / 91K

Publishing Venue

Siemens

Related People

Other Related People:

Abstract

Vertikale Hochvoltdioden, speziell in einer Ausfuehrung als schnell schaltende Hochvoltdioden, sollten vom Abstand zwischen Anode und Kathode mit moeglichst duennen Schichten ausgefuehrt werden, weil die Gesamtverluste (statische und dynamische Verluste) etwa quadratisch mit der Dicke der stromdurchflossenen und die Sperrspannung aufnehmenden Schicht - der Driftzone - ansteigen. Die minimale Dicke dieser Driftzone ist durch die zu sperrende Spannung und die Anforderungen an das Schaltverhalten der Diode gegeben, da bei pin- bzw. pn-n-Dioden die Dicke der i- bzw. n--Zone die Weite der Raumladungszone und somit die Sperrfaehigkeit dominiert. Zudem reisst der Diodenrueckstrom beim Schalten sehr stark ab, wenn die Driftzone zu duenn und/oder sehr niedrig dotiert ist, weil das elektrische Feld dann zu stark in das Halbleitervolumen greift und die Ueberschussladungstraeger zu frueh entfernt.