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Verfahren zur Aufbringung wenigstens einer Siliconschicht mittels Laser-Transferdruck

IP.com Disclosure Number: IPCOM000257315D
Publication Date: 2019-Jan-31
Document File: 57 page(s) / 6M

Publishing Venue

The IP.com Prior Art Database

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Aufbringung wenigstens einer Siliconschicht mittels Laser-Transferdruck, wobei dieses Verfahren für die Herstellung von Sensoren, Aktoren und anderen EAP-Schichtsystemen geeignet ist. Die Siliconschicht kann in diesen Systemen dabei als elektrisch leitende Elektrodenschicht oder als dielektrische Schicht dienen. Das Verfahren kann kontinuierlich ausgestaltet sein und mit verschiedenen anderen Beschichtungstechniken kombiniert werden.