Month of October 2007 - Page Number 9

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  1. 81.
    Die Skalierung von Transistoren in Floating-Gate (FG) NAND Applikationen hat seine Grenzen fuer zukuenftige Technologien. Das limitierende Element sind zum einen die Koppelkapazitaet zwischen dem FG und dem Control Gate (CG) und zum anderen die Koppelkapazitaet zwischen den FG benachbarter Zellen. Eine weitere...
    IPCOM000159165D | Original Publication Date: 2007-Oct-25
  2. 82.
    NROM (Nitrided-Read-Only-Memory) mit "Buried Bitline" Konzept greift zur Kontaktierung besagter Buried Bitline auf Kontakte zurueck, die in regelmaessigen Abstaenden im Array angeordnet sind und eine Verbindung zur Metallisierung herstellen. Der fuer die Kontakte benoetigte Platz wird durch Auslassen von...
    IPCOM000159164D | Original Publication Date: 2007-Oct-25
  3. 83.
    Die elektrische Nahfeldkommunikation kann fuer die Anwendung bei der Messung des Reifenluftdrucks verwendet werden (Wheel-Unit - WU). Dabei ist die WU einerseits kapazitiv an die Felge und damit kapazitiv an die Fahrzeugmasse und andererseits an sonstige Fahrzeugteile bzw. an Erde gekoppelt ist. Durch diese...
    IPCOM000159122D | Original Publication Date: 2007-Oct-25
  4. 84.
    Grosse Aussendurchmesser von Gehaeusedeckel und Spiraleinsatz sowie unterschiedliche Waermedehnungen, Toleranzen und Druckverformungen der Bauteile wie des Raumes des Eintrittsleitapparates fuehren zu grossen radialen und axialen Versaetzen der Bauteile untereinander (siehe Abb. 1). Diese Versaetze koennen mit einem...
    IPCOM000159121D | Original Publication Date: 2007-Oct-25
  5. 85.
    Kompensationsbauelemente wie der CoolMOS (Produkt der Infineon AG) zeichnen sich durch einen niedrigen flaechenspezifischen Einschaltwiderstand aus und sind so deutlich kleiner als konventionelle MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) bei gleichem absolutem Einschaltwiderstand. Die kleinere...
    IPCOM000158935D | Original Publication Date: 2007-Oct-25
  6. 86.
    Die heute gaengigen Smart Power Technologie Produkte vereinigen die Funktionalitaeten von CMOS, Bipolar- und DMOS-Transistoren auf einem Chip (CMOS: Complimentary Metal Oxide Semiconductor, DMOS: Double-diffused Metal-Oxide Semiconductor). Die einzelnen Schaltungselemente muessen dabei elektrisch voneinander isoliert...
    IPCOM000158933D | Original Publication Date: 2007-Oct-25
  7. 87.
    In magnetoresistiven (MR) Sensoren kann ueber die Richtung und die Staerke eines aeusseren Magnetfeldes der elektrische Widerstand des Sensors veraendert werden. Problematisch am Heranziehen der Widerstandsaenderung fuer eine Messung ist, dass MR Sensoren einen optimalen magnetischen Arbeitsbereich mit geringst...
    IPCOM000158931D | Original Publication Date: 2007-Oct-25
  8. 88.
    Bei Drehraten- oder Airbagsensoren werden ueblicherweise SC-Schaltungen (SC – Switched Capacitor) zur Auswertung der Sensoren eingesetzt. Sensorkondensatoren koennen leicht eingefuegt werden, um einen kapazitiven Messeffekt in ein elektrisches Signal zu wandeln. Die Referenzspannung wird in diesen Schalungen...
    IPCOM000158930D | Original Publication Date: 2007-Oct-25
  9. 89.
    Die Zuordnung des Reifens zu seiner Position an einem Kraftfahrzeug erfolgt derzeit durch Programmierung in der Werkstatt nach der Montage. Weiterhin ist eine Zuordnung auch durch radspezifische drahtlose Verbindungen moeglich, die derart realisiert sind, dass jeweils nur der Sensor eines Rades angesprochen oder...
    IPCOM000158929D | Original Publication Date: 2007-Oct-25
  10. 90.
    In order to reach a huge buffered DIMM capacities, Double High DIMMs (Dual In-line Memory Module) supporting two data ports (144 bits) are currently being developed by the server manufacturers. The capacity of such modules is two times bigger than of modules with one data port. Figure 1 shows a standard two rows...
    IPCOM000158928D | Original Publication Date: 2007-Oct-25