Month of July 2008 - Page Number 15

Showing 141 - 150 of 466 from July 2008
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  1. 141.
    Bei der Entwicklung von Softwareapplikationen zur Steuerung und Ueberwachung von automatisierten technischen Prozessen muessen der Programmcode und die Daten waehrend der Laufzeit des Programms geaendert werden. Dies ist bisher nur moeglich, wenn eine erneute vollstaendige Rekompilierung bzw. Uebersetzung des gesamten...
    IPCOM000172216D | Original Publication Date: 2008-Jul-25
  2. 142.
    Der innere Zustand eines elektrischen Antriebs wird durch verschiedene Parameter beschrieben, welche von einem Nutzer ueberwacht werden. Darunter sind die wichtigsten • Drehzahl und Drehrichtung eines Motors. Waehrend der Inbetriebnahme ist dabei insbesondere der untere Drehzahlbereich wichtig. • Spannungssollwerte,...
    IPCOM000172215D | Original Publication Date: 2008-Jul-25
  3. 143.
    Currently the temperature measurements for a DUT (Device under Test, e.g. memory) are done with thermostreams or with climate chambers, which controls the ambient temperature of the DUT. These systems are expensive and usually not mobile, due to the big weight of the machines. It is also hard to predict the real...
    IPCOM000172208D | Original Publication Date: 2008-Jul-25
  4. 144.
    Durch die zunehmende Speicherdichte waechst die Testzeit bei elektronischen Speicherchips proportional zum Bitwachstum an. In einem Multi- oder Parallel-CSL-Test werden mehrere CSL (Column Select Lines) innerhalb eines Architekturblocks statt eines einzelnen CSL eingeschaltet. Dies fuehrt in verschiedenen Faellen zu...
    IPCOM000172207D | Original Publication Date: 2008-Jul-25
  5. 145.
    At present, for most of surface mount IC (Integrated Circuit) packages carrier and cover tapes are used when the chips are to be shipped to the customer. Using these tapes increases the chip packing costs. Other current solution include trays or tubes which, however, are more suitable to large packages like PGA (Pin...
    IPCOM000172206D | Original Publication Date: 2008-Jul-25
  6. 146.
    Ein SiC JFET (Silizium-Kohlenstoff Junktion Field Effect Transistor) ist ein spezieller Feldeffekttransistor, der aufgrund seines Aufbaus ein sehr schnelles Schalten mit sehr hohen Strom- und Spannungsdifferenzen erlaubt. Dies kann aber zu negativen Effekten beim EMI-Verhalten (Electromagnetic Interference) von...
    IPCOM000172205D | Original Publication Date: 2008-Jul-25
  7. 147.
    IPCOM000173190D | 2008-Jul-25
  8. 148.
    IPCOM000173189D | 2008-Jul-25
  9. 149.
    Disclosed is a method to automate the creation of high speed signal connector anti-pads during the physical design process of a Printed Circuit Board.
    IPCOM000173188D | Original Publication Date: 2008-Jul-25
  10. 150.
    IPCOM000173184D | Original Publication Date: 2008-Jul-25